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      液晶顯示元件的制作方法

      文檔序號:11160633
      液晶顯示元件的制造方法與工藝
      本申請發明涉及使用介電常數各向異性為負的向列晶組合物,具有高透射率、高開口率的特征的液晶顯示裝置。
      背景技術
      :由于顯示品質優異,有源矩陣方式液晶顯示元件出現在便攜式終端、液晶電視、放映機、計算機等的市場中。有源矩陣方式在每個像素中使用TFT(薄膜晶體管)或MIM(金屬-絕緣體-金屬)等,該方式中使用的液晶化合物或液晶組合物重視的是高電壓保持率。另外,為了獲得更廣的視角特性,提出了與VA(VerticalAlignment:垂直取向)模式、IPS(InPlaneSwitching)模式、OCB(OpticallyCompensatedBend,OpticallyCompensatedBirefringence)模式組合的液晶顯示元件;為了獲得更明亮的顯示,提出了ECB(ElectricallyControlledBirefringence)模式的反射型液晶顯示元件。為了應對這樣的液晶顯示元件,目前也提出了新的液晶化合物或液晶組合物。作為目前手機用的液晶顯示器,廣泛使用高品位且視覺特性優異的作為IPS模式的液晶顯示元件的一種的邊緣場切換模式液晶顯示裝置(FringeFieldSwitchingmodeLiquidCrystalDisplay;FFS模式液晶顯示裝置)(參照專利文獻1、專利文獻2)。FFS模式是為了改善IPS模式的低開口率和透射率而導入的方式,作為所使用的液晶組合物,容易進行低電壓化,因此廣泛使用利用了介電常數各向異性為正的p型液晶組合物的材料。另外,對于便攜式終端用的FFS模式顯示元件,更加省電化的要求強,液晶元件制造商正持續積極地開發使用了IGZO的陣列的采用等。另一方面,目前通過將使用了p型材料的液晶材料設為介電常數各向異性為負的n型材料,也能夠改善透射率(參照專利文獻3)。這是因為:FFS模式與IPS模式不同,并不會產生完全平行的電場,在使用p型材料的情況下,靠近像素電極的液晶分子沿著邊緣電場,液晶分子的長軸傾斜,因此透射率惡化。相對于此,在使用n型液晶組合物的情況下,n型組合物的極化方向為分子短軸方向,因此邊緣電場的影響僅使液晶分子沿著長軸旋轉,分子長軸可維持平行排列,因此不發生透射率下降。但是,n型液晶組合物一般作為VA用液晶組合物,而在VA模式和FFS模式中,無論取向的方向、電場的方向、需要的光學特性中的哪一點均不同。進一步,以FFS模式為代表的液晶顯示元件如后所述在電極的結構方面具有特征,像素電極與共用電極之間的水平方向的電極間距離:Rh的最小值為0,即使加入垂直成分的電極間距離:Rv,電極間距離也小,僅為像素電極和共用電極的絕緣膜的膜厚。施加電壓:E根據顯示元件并無大差異,因此電極間距離小會導致部分電位差梯度非常大。與此相比,在VA模式中共用電極和像素電極在兩個基板雙方具有電極,因此兩個電極間距離不會小于液晶單元的單元間隙。因此,VA模式的電位差梯度在與電極間距離小的FFS模式等的顯示元件相比變大的方面不同。起因于電極間距離的電位差梯度的大小對顯示元件設計的影響大,對于燒屏、滴痕這樣的從以往技術難以預測效果的課題,是完全沒有認識的狀態。因此,即使單純地轉用用于VA用途的液晶組合物,也難以構成如今要求的高性能的液晶顯示元件,要求提供最適于FFS模式等的起因于電極間距離的電位差梯度大的顯示元件的n型液晶組合物?,F有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開平11-202356號公報專利文獻2:日本特開2003-233083號公報專利文獻3:日本特開2002-31812號公報技術實現要素:發明要解決的課題本發明的課題在于提供一種使用了n型液晶組合物的液晶顯示元件,該n型液晶組合物的介電常數各向異性(Δε)、粘度(η)、向列相-各向同性液體的轉變溫度(TNI)、低溫下的向列相穩定性、旋轉粘度(γ1)等作為液晶顯示元件的各種特性優異,通過用于FFS模式等的起因于電極間距離的電位差梯度大的液晶顯示元件而能夠實現優異的顯示特性。用于解決課題的方法本申請發明人等為了解決上述課題而積極研究,研究了最適于FFS模式等的起因于電極間距離的電位差梯度大的液晶顯示元件的各種液晶組合物的構成,結果發現了含有具有兩個特征結構的液晶化合物的液晶組合物的有用性,從而完成了本申請發明。本申請發明提供一種液晶顯示元件,其具有相對配置的第一透明絕緣基板和第二透明絕緣基板且在前述第一基板與第二基板之間夾持含有液晶組合物的液晶層,并且在每個像素中具有:在前述第一基板上由透明導電性材料構成的共用電極、以矩陣狀配置的多個柵極總線和數據總線、設于前述柵極總線與數據總線的交叉部的薄膜晶體管、以及由該晶體管驅動且由透明導電性材料構成的像素電極,并且在前述液晶層與前述第一基板和第二基板之間分別具有誘發均質取向的取向膜層,前述像素電極與共用電極之間的電極間距離:R(μm)和施加電壓:E(V)滿足以下兩個關系,E/R≧3(V/μm)E≦15(V)前述液晶組合物具有負的介電常數各向異性,向列相-各向同性液體的轉變溫度為60℃以上,介電常數各向異性的絕對值為1.5以上,且含有選自通式(I)所表示的化合物組的至少一種化合物和選自下述通式(II)所表示的化合物組的至少一種化合物,[化1](式中,R1和R2分別獨立地表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數2~8的烯氧基,A表示1,4-亞苯基或反式-1,4-亞環己基,k表示1或2,k為2時,兩個A可以相同也可以不同。)[化2](式中,R3表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數2~8的烯氧基,R4表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數4~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數3~8的烯氧基,B表示1,4-亞苯基或反式-1,4-亞環己基,m表示0、1或2,m為2時,兩個B可以相同也可以不同。)發明效果本發明的液晶顯示元件具有高速響應性優異、閃爍等顯示不良的產生少的特征,具有優異的顯示特性。本發明的液晶顯示元件在液晶TV、監視器等顯示元件中有用。附圖說明圖1是示意性表示本發明的液晶顯示元件的構成的一例的圖。圖2是將圖1中形成于基板2上的電極層3的由II線包圍的區域放大所得的平面圖。圖3是在圖2中的III-III線方向上切斷圖1所示的液晶顯示元件所得的截面圖。圖4是示意性表示由取向膜4誘發的液晶取向方向的圖。圖5是將圖1中形成于基板2上的電極層3的由II線包圍的區域的其他例放大所得的平面圖。圖6是在圖2中的III-III線方向上切斷圖1所示的液晶顯示元件所得的其他例的斷面圖圖7是將液晶顯示元件的電極構成放大所得的平面圖。具體實施方式如前所述,本申請發明發現了最適于FFS模式等的起因于電極間距離的電位差梯度大的液晶顯示元件的n型液晶組合物。(液晶顯示元件)本發明的顯示元件涉及FFS模式等的起因于電極間距離的電位差梯度大的顯示元件。以下,參照圖1~6,說明以起因于電極間距離的電位差梯度大的顯示元件為代表的FFS模式的液晶顯示元件的例子。圖1是示意性表示液晶顯示元件的構成的圖。圖1中,為了便于說明,將各構成要素分開記載。本發明涉及的液晶顯示元件10的構成如圖1所記載,是具有夾持于相對配置的第一透明絕緣基板2與第二透明絕緣基板7之間的液晶組合物(或液晶層5)的FFS模式的液晶顯示元件,具有使用了前述本發明的液晶組合物作為該液晶組合物的特征。第一透明絕緣基板2在液晶層5側的面形成有電極層3。另外,在液晶層5與第一透明絕緣基板2和第二透明絕緣基板8之間分別具有與構成液晶層5的液晶組合物直接抵接并誘發均質取向的一對取向膜4,該液晶組合物中的液晶分子在無電壓施加時以相對于前述基板2、7大致平行的方式進行了取向。如圖1和圖3所示,前述第二基板2和前述第一基板8可以被一對偏光板1、8夾持。進一步,圖1中,在前述第二基板7與取向膜4之間設有濾色器6。即,本發明涉及的液晶顯示元件10是依次層疊有第一偏光板1、第一基板2、包含薄膜晶體管的電極層3、取向膜4、包含液晶組合物的液晶層5、取向膜4、濾色器6、第二基板7、以及第二偏光板8的構成。第一基板2和第二基板7可以使用玻璃或如塑料那樣具有柔軟性的透明材料,也可以一方是硅等不透明材料。兩塊基板2、7通過配置于周邊區域的環氧系熱固化性組合物等密封材和封止材被貼合,為了保持基板間距離,可以在其間配置有例如玻璃粒子、塑料粒子、氧化鋁粒子等粒狀間隔物或通過光刻法形成的由樹脂構成的間隔柱。圖2是將圖1中形成于基板2上的電極層3的由II線包圍的區域放大所得的平面圖。圖3是在圖2中的III-III線方向上切斷圖1所示的液晶顯示元件所得的截面圖。如圖2所示,形成于第一基板2表面的包含薄膜晶體管的電極層3中,用于提供掃描信號的多根柵極總線26和用于提供顯示信號的多根數據總線25彼此交叉并以矩陣狀配置。另外,圖2中,僅顯示了一對柵極總線25和一對數據總線24。通過被多根柵極總線26和多根數據總線25包圍的區域,形成有液晶顯示裝置的單位像素,在該單位像素內形成有像素電極21和共用電極22。在柵極總線26和數據總線25彼此交叉的交叉部附近,設有包含源電極27、漏電極24和柵電極28的薄膜晶體管。該薄膜晶體管作為向像素電極21提供顯示信號的開關元件而與像素電極21連結。另外,共用線29與柵極總線26并排地設置。該共用線29為了向共用電極22提供共用信號而與共用電極22連結。薄膜晶體管結構的一個優選方式例如如圖3所示,具有:形成于基板2表面的柵電極11、以覆蓋該柵電極11且覆蓋前述基板2的大致整面的方式設置的柵極絕緣層12、以與前述柵電極11相對的方式設于前述柵極絕緣層12表面的半導體層13、以覆蓋前述半導體層17表面的一部分的方式設置的保護膜14、以覆蓋前述保護層14和前述半導體層13的一方側端部且與形成于前述基板2表面的前述柵極絕緣層12接觸的方式設置的漏電極16、以覆蓋前述保護膜14和前述半導體層13的另一方側端部且與形成于前述基板2表面的前述柵極絕緣層12接觸的方式設置的源電極17、以及以覆蓋前述漏電極16和前述源電極17的方式設置的絕緣保護層18。也可以在柵電極11的表面出于消除與柵電極的高低差等理由而形成陽極氧化被膜(未圖示)。前述半導體層13可以使用非晶硅、多晶硅等,若使用ZnO、IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITO等透明半導體膜,則從能夠抑制起因于光吸收的光載波的弊害,增大元件的開口率的觀點考慮也優選。進一步,為了降低肖特基障壁的寬度、高度,可以在半導體層13與漏電極16或源電極17之間設置歐姆接觸層15。歐姆接觸層可以使用n型非晶硅、n型多晶硅等以高濃度添加了磷等雜質的材料。柵極總線26、數據總線25、共用線29優選為金屬膜,更優選Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni或其合金,在使用Al或其合金的配線的情況下特別優選。另外,絕緣保護層18是具有絕緣功能的層,由氮化硅、二氧化硅、硅氮化膜等形成。圖2和圖3所示的實施方式中,共用電極22是在柵極絕緣層12上的幾乎整面形成的平板狀電極,另一方面,像素電極21是在覆蓋共用電極22的絕緣保護層18上形成的梳形電極。即,共用電極22配置于比像素電極21更靠近第一基板2的位置,這些電極隔著絕緣保護層18彼此重疊地配置。像素電極21和共用電極22由例如ITO(IndiumTinOxide)、IZO(IndiumZincOxide)、IZTO(IndiumZincTinOxide)等透明導電性材料形成。像素電極21和共用電極22由透明導電性材料形成,因此在單位像素面積內開口的面積變大,開口率和透射率增加。FFS模式的顯示元件中,關于像素電極21和共用電極22,為了在這些電極間形成邊緣電場,以像素電極21和共用電極22之間的相對于基板方向水平的電極間距離:Rh小于第一基板2與第二基板7的距離:G的方式形成。這里,電極間距離:Rh表示各電極間的基板水平方向的距離。圖3中,平板狀的共用電極22與梳形的像素電極21重合,因此顯示的是電極間距離:Rh=0的例子,電極間距離:Rh小于第一基板2與第二基板7的距離(即,單元間隙):G,形成邊緣電場E。因此,FFS型的液晶顯示元件可以利用在相對于形成像素電極21的梳形的線垂直的方向上形成的水平方向的電場、和拋物線狀的電場。像素電極21的梳狀部分的電極寬:l、和像素電極21的梳狀部分的間隙寬:m優選形成為利用產生的電場能夠將液晶層5內的液晶分子全部驅動的程度的寬度。本發明的液晶顯示元件具有如下特征:像素電極與共用電極之間的電極間距離:R(μm)與施加電壓:E(V)滿足以下兩個關系。E/R≧3(V/μm)E≦15(V)施加于像素電極的施加電壓:E(V)由前述半導體的材質、被驅動的液晶材料的介電常數等決定,通常為20V以下,從耗電的關系出發,優選15V以下,優選12V以下,進一步優選10V以下,特別優選8V以下,從耗電的觀點出發優選驅動電壓的最低值低,但從前述觀點出發,哪怕最低也必須為1.2V左右,通常為3.3V以上,更通常為5V以上。本發明中,具有電極間距離:R(μm)與VA模式等相比小的特征,距離的定義是指像素電極與共用電極的最小距離,與前述基板水平的電極間距離Rh不同。即,FFS模式中,存在水平的電極間距離Rh為0的情況,但由于在像素電極與共用電極之間存在絕緣層,因此R為有限的值。在將像素電極和共用電極均制成梳形電極的情況下,電極間距離也顯示有限的值,但在該情況下,電極間距離小于單元間隙:G。電極間距離優選3μm以下,更優選2μm以下,進一步優選1μm以下,特別優選0.5μm以下。液晶顯示元件的單元間隙通常為5至1μm,優選4至2μm,更優選4至2.5μm,特別優選4至3μm。由上所述,本發明的液晶顯示元件中,具有E/R的值為3以上的特征,優選5以上,更優選10以上,進一步優選15以上,特別優選20以上。如上所述,本發明的液晶顯示元件由于起因于電極間距離的電位差梯度大,因此顯示與電位差梯度小的元件不同的顯示特性。例如,已知:被稱作閃爍的、由于顯示元件的亮度周期性變動而使顯示隔一會兒閃現的現象,在能夠視覺上認知的情況下,特別是即使在無法認知的情況下,也會由于長時間持續看而引發眼睛疲勞、倦怠感等,對健康造成不良影響。本發明人等發現:如本發明那樣起因于電極間距離的電位差梯度大的顯示元件中,顯示元件中容易形成電位差梯度大的部分和小的部分,因此特別是容易產生前述閃爍的影響。于是,研究了不易產生閃爍的顯示元件與介電常數各向異性為負的特定液晶材料的組合,從而完成了本發明。從防止漏光的觀點考慮,濾色器6優選在與薄膜晶體管和儲能電容器23對應的部分形成黑矩陣(未圖示)。在電極層3和濾色器6上,設有與構成液晶層5的液晶組合物直接抵接并誘發均質取向的一對取向膜4。取向膜4是例如經摩擦處理的聚酰亞胺膜,各取向膜的取向方向平行。這里,使用圖4,對本實施方式中的取向膜4的摩擦方向(液晶組合物的取向方向)進行說明。圖4是示意性表示由取向膜4誘發的液晶取向方向的圖。本發明中,使用具有負的介電常數各向異性的液晶組合物。因此,將相對于形成像素電極21的梳形的線垂直的方向(形成水平電場的方向)設為x軸時,優選以該x軸與液晶分子30的長軸方向所成的角θ成為大概0~45°的方式取向。圖3所示的例子中,顯示的是x軸與液晶分子30的長軸方向所成的角θ大概為0°的例子。這樣誘發液晶取向方向是為了提高液晶顯示裝置的最大透射率。另外,偏光板1和偏光板8可以按照調整各偏光板的偏光軸使視野角、對比度變得良好的方式進行調整,優選按照它們的透射軸在常黑模式下工作的方式具有彼此正交的透射軸。特別是優選按照偏光板1和偏光板8中的任一個具有與液晶分子30的取向方向平行的透射軸的方式配置。另外,優選以對比度變得最大的方式調整液晶的折射率各向異性Δn與單元厚度d之積。進一步也可以使用用于擴大視野角的相位差膜。上述那樣構成的FFS型的液晶顯示裝置10通過薄膜TFT向像素電極21提供圖像信號(電壓),從而在像素電極21和共用電極22之間產生邊緣電場,利用該電場驅動液晶。即,在不施加電壓的狀態下,液晶分子30按照其長軸方向與取向膜4的取向方向平行的方式配置。在施加電壓時,在像素電極21和共用電極22之間形成拋物線形電場的等電位線直至像素電極21和共用電極22的上部,液晶層5內的液晶分子30沿著所形成的電場在液晶層5內旋轉。本發明中,使用具有負的介電常數各向異性的液晶分子30,因此以液晶分子30的長軸方向與所產生的電場方向正交的方式旋轉。雖然位于像素電極21附近的液晶分子30容易受到邊緣電場的影響,但由于具有負的介電常數各向異性的液晶分子30的極化方向處于分子的短軸,因此液晶層5內的所有液晶分子30的長軸方向能夠相對于取向膜4維持平行方向,而不在其長軸方向相對于取向膜4正交的方向上旋轉。因此,與使用了具有正的介電常數各向異性的液晶分子30的FFS型液晶顯示元件相比,能夠獲得優異的透射率特性。使用圖1~圖4說明的FFS型的液晶顯示元件是一個例子,只要不脫離本發明的技術思想,則能夠以其他各種各樣的方式實施。例如,圖5是將圖1中形成于基板2上的電極層3的由II線包圍的區域放大所得的平面圖的其他例。如圖5所示,像素電極21可以是具有狹縫的構成。另外,可以按照相對于柵極總線26或數據總線25具有傾斜角的方式形成狹縫的圖案。另外,圖6是在圖2中的III-III線方向上切斷圖1所示的液晶顯示元件所得的截面圖的其他例。圖6所示的例子中,使用了梳形或具有狹縫的共用電極22,像素電極21和共用電極22的相對于基板方向水平的電極間距離為R=α。進一步,圖3中示出的是共用電極22形成于柵極絕緣膜12上的例子,而如圖6所示,也可以將共用電極22形成于第一基板2上,隔著柵極絕緣膜12設置像素電極21。像素電極21的電極寬:l、共用電極22的電極寬:n、和電極間距離:Rh優選適宜調整為利用產生的電場能夠將液晶層5內的液晶分子全部驅動的程度的寬度。另外,如圖7所示,可以以像素電極41和共用電極42在同一面上間隔地咬合的狀態設置。圖7所示結構的FFS型顯示元件中,以相對于基板方向水平的電極間距離R小于第一基板2與第二基板7的距離:G的方式形成。本發明涉及的FFS模式的液晶顯示元件使用了特定的液晶組合物,因此能夠兼顧高速響應和顯示不良的抑制。另外,FFS模式的液晶顯示元件在第一基板2與第二基板7之間注入液晶層5時,例如進行真空注入法或滴注(ODF:OneDropFill)法等方法,而本申請發明中,能夠抑制ODF法中將液晶組合物滴下于基板時的滴痕的產生。另外,滴痕定義為在顯示黑色時滴下液晶組合物的痕跡顯露白色的現象。滴痕的產生受到注入的液晶材料的較大影響,但進一步,根據顯示元件的構成,其影響不可避免。FFS模式的液晶顯示元件中,顯示元件中形成的薄膜晶體管和梳形、具有狹縫的像素電極21等僅有薄的取向膜4、或薄的取向膜4和薄的絕緣保護層18等隔開液晶組合物的構件,因此不會完全遮斷離子性物質的可能性高,無法避免由構成電極的金屬材料與液晶組合物的相互作用引起的滴痕的產生。但FFS型的液晶顯示元件中,通過組合使用本申請發明的液晶組合物,能夠有效抑制滴痕的產生。另外,利用ODF法的液晶顯示元件的制造工序中,需要根據液晶顯示元件的尺寸而滴下最適的液晶注入量,而本申請發明的液晶組合物例如對液晶滴下時產生的滴下裝置內的急劇壓力變化、沖擊的影響少,能夠長時間穩定地持續滴下液晶,因此也能夠保持較高的液晶顯示元件的成品率。特別是最近流行的手機中經常使用的小型液晶顯示元件,由于最適的液晶注入量少,因此將與最適值的偏差控制在一定范圍內本身較困難,但通過使用本申請發明的液晶組合物,即使在小型液晶顯示元件中也能夠實現穩定的液晶材料的吐出量。(液晶層)本發明中的液晶組合物含有1種或2種以上通式(I)所表示的化合物作為第一成分。[化3](式中,R1和R2分別獨立地表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數2~8的烯氧基,A表示1,4-亞苯基或反式-1,4-亞環己基,k表示1或2,k為2時,兩個A可以相同也可以不同。)作為通式(I)所表示的化合物的合計含量在組合物全體含量內的下限值,優選5質量%,更優選10質量%,進一步優選15質量%,特別優選20質量%,最優選25質量%,作為上限值,優選65質量%,更優選55質量%,進一步優選50質量%,特別優選47質量%,最優選45質量%。作為通式(I)所表示的化合物,具體而言,可列舉例如下述通式(I-a)至通式(I-e)所表示的化合物組所表示的化合物。[化4](式中,R11~R15和R21~R25分別獨立地表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數2~8的烯氧基。)選自通式(I-a)~通式(I-e)所表示的化合物組的化合物優選含有1種~10種,特別優選含有1種~8種,特別優選含有1種~5種,也優選含有2種以上化合物。R11~R15和R21~R25分別獨立地優選表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基或碳原子數2~8的烷氧基,更優選表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數2~5的烷氧基,表示烯基的情況下,優選以下記載的式(i)~式(iv)所表示的結構。[化5](式中,與環結構在右端結合。)另外,R11和R21、R12和R22、R13和R23、R14和R24、R15和R25可以相同也可以不同,優選表示不同的取代基。在用于重視液晶元件特性中的響應速度的用途的情況下,優選它們中的一方為前述烯基。另一方面,在液晶顯示元件中特別重視可靠性的情況下,優選它們雙方為烷基。雙方為烷基的情況下,優選其碳原子數不同。從這些方面出發,作為一方為前述烯基的通式(I)所表示的化合物,優選含有選自下述通式(III)所表示的化合物組的至少一種化合物。[化6](式中,R5表示氫原子或甲基,R6表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~4的烷氧基。)通式(III)所表示的化合物更具體而言優選以下記載的化合物。[化7][化8]含有通式(III)所表示的化合物的情況下,作為通式(III)所表示的化合物在液晶組合物中的含有率,作為下限值,優選5質量%,更優選15質量%,進一步優選20質量%,特別優選23質量%,最優選25質量%,作為上限值,優選70質量%,更優選60質量%,進一步優選55質量%,特別優選52質量%,最優選50質量%。更具體而言,在重視響應速度的情況下,作為下限值,優選20質量%,更優選30質量%,進一步優選35質量%,特別優選38質量%,最優選35質量%,作為上限值,優選70質量%,更優選60質量%,進一步優選55質量%,特別優選52質量%,最優選50質量%,在更加重視驅動電壓的情況下,作為下限值,優選5質量%,更優選15質量%,進一步優選20質量%,特別優選23質量%,最優選25質量%,作為上限值,優選60質量%,更優選50質量%,進一步優選45質量%,特別優選42質量%,最優選40質量%。關于通式(III)所表示的化合物的比例,在液晶組合物中的通式(I)所表示的化合物的合計含量內,通式(III)所表示的化合物的含量作為下限值優選60質量%,更優選70質量%,進一步優選75質量%,特別優選78質量%,最優選80質量%,作為上限值,優選90質量%,更優選95質量%,進一步優選97質量%,特別優選99質量%,優選100質量%。另外,作為通式(III)所表示的化合物以外的通式(I-a)至通式(I-e)所表示的化合物,更具體而言優選以下記載的化合物。[化9][化10][化11][化12][化13][化14][化15]這些之中,優選式(III-a2)、式(III-b2)、式(I-a1)~式(I-a6)、式(I-b2)、式(I-b6)、式(I-d1)、式(I-d2)、式(I-d)、和式(I-e2)所表示的化合物。本發明中的液晶組合物含有1種或2種以上通式(II)所表示的化合物作為第二成分。[化16](式中,R3表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數2~8的烯氧基,R4表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數4~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數3~8的烯氧基,B表示1,4-亞苯基或反式-1,4-亞環己基,m表示0、1或2,m為2時,兩個B可以相同也可以不同。)作為通式(II)所表示的化合物所表示的化合物在液晶組合物中的含有率,作為下限值,優選10質量%,更優選20質量%,進一步優選25質量%,特別優選28質量%,最優選30質量%,作為上限值,優選85質量%,更優選75質量%,進一步優選70質量%,特別優選67質量%,最優選65質量%。通式(II)所表示的化合物優選從以下記載的通式(IIa)~通式(IIc)所表示的化合物組中選擇至少一種以上,更優選選擇兩種以上。[化17](式中,R31~R33和R41~R43表示與通式(II)中的R3和R4相同的含義)通式(IIa)所表示的化合物具體而言優選以下記載的式(IIa-1)~式(IIa-8)所表示的化合物,更優選式(IIa-1)~式(IIa-4)所表示的化合物,進一步優選式(IIa-1)和式(IIa-3)所表示的化合物。[化18]通式(IIa)所表示的化合物作為下限值優選2質量%,更優選3質量%,作為上限值優選45質量%,更優選35質量%,進一步優選30質量%,特別優選27質量%,最優選25質量%。使用4種以上通式(IIa)所表示的化合物的情況下,優選將式(IIa-1)~式(IIa-4)所表示的化合物組合使用,式(IIa-1)~式(IIa-4)所表示的化合物的含量優選為通式(IIa1)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上。使用3種通式(IIa)所表示的化合物的情況下,優選將式(IIa-1)、式(IIa-2)和式(IIa-3)所表示的化合物組合使用,式(IIa-1)、式(IIa-2)和式(IIa-3)所表示的化合物的含量優選為通式(IIa)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。使用2種通式(IIa)所表示的化合物的情況下,優選將式(IIa-1)和式(IIa-3)所表示的化合物組合使用,式(IIa-1)和式(IIa-3)所表示的化合物的含量優選為通式(IIa)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。通式(IIb)所表示的化合物具體而言優選以下記載的式(IIb-1)~式(IIb-8)所表示的化合物,更優選式(IIb-1)~式(IIb-4)所表示的化合物,進一步優選式(IIb-1)~式(IIb-3)所表示的化合物,特別優選式(IIb-1)和式(IIb-3)所表示的化合物。[化19]使用4種以上通式(IIb)所表示的化合物的情況下,優選將式(IIb-1)~式(IIb-4)所表示的化合物組合使用,式(IIb-1)~式(IIb-4)所表示的化合物的含量優選為(IIb)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。使用3種通式(IIb)所表示的化合物的情況下,優選將(IIb-1)~式(IIb-3)所表示的化合物組合使用,式(IIb-1)~式(IIb-3)所表示的化合物的含量優選為通式(IIb)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。使用2種通式(IIb)所表示的化合物的情況下,優選將式(IIb-1)和式(IIb-3)所表示的化合物組合使用,式(IIb-1)和式(IIb-3)所表示的化合物的含量優選為通式(IIa2)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。通式(IIc)所表示的化合物具體而言優選以下記載的式(IIc-1)~(IIc-4)所表示的化合物,優選式(IIc-1)或式(IIc-2)所表示的化合物。[化20]使用2種以上通式(IIc)所表示的化合物的情況下,優選將式(IIc-1)和式(IIc-2)所表示的化合物組合使用,式(IIc-1)和式(IIc-2)所表示的化合物的含量優選為通式(IIc)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。本發明的組合物優選進一步含有通式(IV)所表示的化合物。其中,通式(IV)所表示的化合物不包括通式(II)所表示的化合物。[化21](式中R7和R8分別獨立地表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數2~8的烯氧基,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的1個以上的氫原子可以被氟原子取代,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的亞甲基只要氧原子不連續結合就可以被氧原子取代,只要羰基不連續結合就可以被羰基取代,A1和A2分別獨立地表示1,4-亞環己基、1,4-亞苯基或四氫吡喃-2,5-二基,A1或/和A2表示1,4-亞苯基的情況下,該1,4-亞苯基中的1個以上的氫原子可以被氟原子取代,Z1和Z2分別獨立地表示單鍵、-OCH2-、-OCF2-、-CH2O-、或CF2O-,n1和n2分別獨立地表示0、1、2或3,n1+n2為1~3,A1、A2、Z1和/或Z2存在多個的情況下,它們可以相同也可以不同,不包括n1為1或2、n2為0、A1的至少一個為1,4-亞環己基且所有的Z1為單鍵的化合物。)作為通式(IV)所表示的化合物在液晶組合物中的含有率,作為下限值,優選2質量%,更優選3質量%,進一步優選4質量%,特別優選5質量%,作為上限值,優選45質量%,更優選35質量%,進一步優選30質量%,特別優選27質量%,最優選25質量%。通式(IV)中,R7和R8在所結合的環結構為環己烷或四氫吡喃時優選為烷基或烯基,為苯時優選為烷基、烷氧基或烯基。為環己烷或四氫吡喃時,優選表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基,更優選表示碳原子數1~8的烷基,更優選表示碳原子數3~5的烷基,進一步優選表示碳原子數3或5的烷基,優選為直鏈。另外,通式(IV)中,R7和R8在所結合的環結構為苯時優選表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數2~8的烯氧基,優選表示碳原子數1~8的烷基或碳原子數1~8的烷氧基,更優選表示碳原子數3~5的烷基或碳原子數2~4的烷氧基,更優選表示碳原子數3或5的烷基或碳原子數2或4的烷氧基,進一步優選表示碳原子數2或4的烷氧基,優選為直鏈。在重視顯示元件的響應速度的改善的情況下,優選烯基,在重視電壓保持率等的可靠性的情況下,優選烷基。作為烯基,優選以下記載的式(i)~式(iv)所表示的結構。[化22](式中,與環結構在右端結合。)A1和A2分別獨立地優選1,4-亞環己基、1,4-亞苯基或四氫吡喃-2,5-二基。在重視粘度的降低的情況下,Z1和Z2分別獨立地優選單鍵,在重視增大Δε的絕對值的情況下,優選-OCH2-、-OCF2-、-CH2O-、或-CF2O-,優選按照氧原子連結于2,3-二氟苯-1,4-二基的方式配置。n1+n2優選2以下,在重視粘度的降低的情況下,優選1,在重視Tni的情況、重視Δn的增大的情況下,優選2。通式(IV)所表示的化合物優選選自以下記載的通式(IVa1)和(IVa2)所表示的化合物組中。[化23](式中,R7a1和R7a2、R8a1和R8a2分別獨立地表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數2~8的烯氧基,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的1個以上的氫原子可以被氟原子取代,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的亞甲基只要氧原子不連續結合就可以被氧原子取代,只要羰基不連續結合就可以被羰基取代,na2表示0或1,A1a2表示1,4-亞環己基、1,4-亞苯基或四氫吡喃-2,5-二基,通式(IVa1)和通式(IVa2)中的1,4-亞苯基中的1個以上的氫原子可以被氟原子取代。)通式(IVa1)所表示的化合物具體而言優選以下記載的式(IVa1-1)~式(IVa1-9)所表示的化合物,優選式(IVa1-1)~式(IVa1-4)、式(IVa1-9)、式(IVa1-10)所表示的化合物,更優選式(IVa1-1)式(IVa1-3)、式(IVa1-9)、和式(IVa1-10)所表示的化合物,進一步優選式(IVa1-1)和式(IVa1-9)所表示的化合物,特別優選式(IVa1-1)所表示的化合物。[化24]使用4種以上通式(IVa1)所表示的化合物的情況下,優選將式(IVa1-1)~式(IVa1-4)、式(IVa1-9)、式(IVa1-10)所表示的化合物組合使用,式(IVa1-1)~式(IVa1-4)、式(IVa1-9)、式(IVa1-10)所表示的化合物的含量優選為通式(IVa1)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。使用3種通式(IVa1)所表示的化合物的情況下,優選將式(IVa1-1)、式(IVa1-3)或式(IVa1-9)所表示的化合物組合使用,式(IVa1-1)、式(IVa1-3)和式(IVa1-9)所表示的化合物的含量優選為通式(IVa1)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。使用2種通式(IVa1)所表示的化合物的情況下,優選將式(IVa1-1)和式(IVa1-3)所表示的化合物組合使用、或式(IVa1-1)和式(IVa1-9)所表示的化合物組合使用,該情況下,更優選將式(IVa1-1)和式(IVa1-3)所表示的化合物組合,式(IVa1-1)、式(IVa1-3)和式(IVa1-9)所表示的化合物的含量優選為通式(IVa1)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。通式(IVa2)所表示的化合物具體而言優選以下記載的通式(IVa2-1)~通式(IVa2-9)所表示的化合物。[化25](式中,R7表示與通式(IV)中的R7相同的含義,R8表示與通式(IV)中的R8相同的含義。)使用通式(IVa2)所表示的化合物的情況下,優選使用式(IVa2-1)所表示的化合物,式(IVa2-1)所表示的化合物的含量優選為通式(IVa2)所表示的化合物中的50質量%以上,更優選為70質量%以上,進一步優選為80質量%以上,特別優選為85質量%以上,最優選為90質量%以上。通式(IVa2)中的R7和R8分別獨立地表示碳原子數1~8的烷基、碳原子數2~8的烯基、碳原子數1~8的烷氧基或碳原子數2~8的烯氧基,優選表示碳原子數1~8的烷基或碳原子數2~8的烯基,更優選表示碳原子數2~5的烷基或碳原子數2~5的烯基,進一步優選表示碳原子數2~5的烷基,優選為直鏈,R7和R8均為烷基的情況下,優選各自的碳原子數不同。進一步詳細描述,優選R7表示丙基R8表示乙基的化合物或R7表示丁基R8表示乙基的化合物。本申請中的1,4-環己基優選為反式-1,4-環己基。本發明的組合物也可以進一步含有通式(V)所表示的僅具有一個環結構的化合物。[化26](R9和R10分別獨立地表示碳原子數1~10的烷基、碳原子數2~10的烯基、碳原子數1~10的烷氧基或碳原子數2~10的烯氧基,X1和X2分別獨立地表示碳原子數1~3的烷基、氟原子、氫原子或氯原子。)R9和R10分別獨立地優選碳原子數1~10的烷基,更優選R9和R10不同,兩個烷基的碳原子數的合計優選為5以上10以下。該情況下,優選一方烷基的碳原子為5至10、另一方為1至5。X1和X2分別獨立地優選碳原子數1~3的烷基、氟原子或氫原子,更優選氟原子或氫原子。通式(V)所表示的化合物具體而言更優選下述化合物。[化27](R9、R10、X1和X2分別獨立地表示與通式(V)相同的含義。)其中,優選通式(Va1)或(Va3),特別優選通式(Va1)。含有通式(V)所表示的化合物的情況下,其含量優選1至10%,更優選1至8%,特別優選2至5。更具體而言,優選以下的化合物。[化28]本發明中的液晶組合物將通式(I)和通式(II)所表示的化合物作為必須成分,可以進一步含有通式(IV)所表示的化合物(其中,通式(II)所表示的化合物除外)。液晶組合物中含有的式(I)、式(II)、和通式(IV)所表示的化合物的合計含量優選80~100質量%,更優選85~100質量%,進一步優選90~100質量%,特別優選95~100質量%,最優選97~100質量%。關于本申請液晶組合物中含有的通式(I)和通式(II)所表示的化合物的合計含量,作為下限值,優選55質量%,更優選65質量%,進一步優選70質量%,特別優選73質量%,最優選75質量%,作為上限值,優選85質量%,更優選90質量%,進一步優選92質量%,特別優選94質量%,最優選95質量%。本申請發明的液晶組合物優選不含有分子內具有過氧(-CO-OO-)結構等氧原子彼此結合的結構的化合物。在重視液晶組合物的可靠性和長期穩定性的情況下,優選將具有羰基的化合物的含量相對于前述組合物的總質量設為5質量%以下,更優選設為3質量%以下,進一步優選設為1質量%以下,最優選實質上不含有。優選增多分子內的環結構全部為6元環的化合物的含量,優選將分子內的環結構全部為6元環的化合物的含量相對于前述組合物的總質量設為80質量%以上,更優選設為90質量%以上,進一步優選設為95質量%以上,最優選實質上僅由分子內的環結構全部為6元環的化合物構成液晶組合物。為了抑制由液晶組合物的氧化引起的劣化,優選減少具有亞環己烯基作為環結構的化合物的含量,優選將具有亞環己烯基的化合物的含量相對于前述組合物的總質量設為10質量%以下,更優選設為5質量%以下,進一步優選實質上不含有。為了抑制由液晶組合物的氧化引起的劣化,優選減少具有-CH=CH-作為連結基的化合物的含量,優選將該化合物的含量相對于前述組合物的總質量設為10質量%以下,更優選設為5質量%以下,進一步優選實質上不含有。在重視粘度的改善和TNI的改善的情況下,優選減少分子內具有氫原子可被鹵素取代的2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量,優選將前述分子內具有2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量相對于前述組合物的總質量設為10質量%以下,更優選設為5質量%以下,進一步優選實質上不含有。本發明的組合物中含有的化合物具有烯基作為側鏈的情況下,在前述烯基與環己烷結合時該烯基的碳原子數優選為2~5,前述烯基與苯結合時該烯基的碳原子數優選為4~5,優選前述烯基的不飽和鍵與苯不直接結合。另外,在重視液晶組合物的穩定性的情況下,優選減少作為側鏈具有烯基且具有2,3-二氟苯-1,4-二基的化合物的含量,優選將該化合物的含量相對于前述組合物的總質量設為10質量%以下,更優選設為5質量%以下,進一步優選實質上不含有。本發明中的液晶組合物的介電常數各向異性Δε的值具有負的介電常數各向異性,介電常數各向異性的絕對值為2以上。介電常數各向異性Δε的值在25℃時優選為-2.0至-6.0,更優選為-2.5至-5.0,特別優選為-2.5至-4.0,進一步詳細描述,在重視響應速度的情況下,優選為-2.5~-3.4,在重視驅動電壓的情況下,優選為-3.4~-4.0。本發明中的液晶組合物的折射率各向異性Δn的值在25℃時優選為0.08至0.13,更優選為0.09至0.12。進一步詳細描述,在應對薄單元間隙的情況下,優選為0.10至0.12,在應對厚單元間隙的情況下,優選為0.08至0.10。本發明中的液晶組合物的旋轉粘度(γ1)優選150以下,更優選130以下,特別優選120以下。就本發明中的液晶組合物而言,作為旋轉粘度與折射率各向異性的函數的Z優選表示特定的值。[數1]Z=γ1/Δn2(式中,γ1表示旋轉粘度,Δn表示折射率各向異性。)Z優選13000以下,更優選12000以下,特別優選11000以下。本發明中的液晶組合物的向列相-各向同性液體相轉變溫度(Tni)為60℃以上,優選為75℃以上,更優選為80℃以上,進一步優選為90℃以上。本發明的液晶組合物必須具有1012(Ω·m)以上的電阻率,優選1013(Ω·m),更優選1014(Ω·m)以上。本發明的液晶組合物除了上述化合物以外還可以根據用途含有通常的向列液晶、近晶液晶、膽甾醇液晶、抗氧化劑、紫外線吸收劑等,在要求液晶組合物的化學穩定性的情況下,優選在其分子內不具有氯原子,在要求液晶組合物對紫外線等光的穩定性的情況下,優選在其分子內不具有以萘環等為代表的共軛長度長且在紫外區域存在吸收峰的縮合環等。實施例以下列舉實施例進一步詳述本發明,但本發明不限于這些實施例。另外,以下的實施例和比較例的組合物中的“%”是指“質量%”。實施例中,測定的特性如下所述。TNI:向列相-各向同性液體相轉變溫度(℃)Δn:25℃時的折射率各向異性Δε:25℃時的介電常數各向異性η:20℃時的粘度(mPa·s)γ1:25℃時的旋轉粘度(mPa·s)閃爍:使用德國autronic-MELCHERS制的液晶顯示器電氣光學特性評價裝置DMS系列,在25℃施加頻率60Hz、施加電壓6V和3V的矩形波電場時的閃爍率(%)◎閃爍率1%以下(非常良好)○閃爍率1~2%(可容許的水平)△閃爍率2%~5%(不可容許的水平)×閃爍率5%以上(非常惡劣)VHR:在頻率60Hz、施加電壓1V的條件下60℃時的電壓保持率(%)燒屏:液晶顯示元件的燒屏評價是,在將預定的固定圖案在顯示區域內顯示1000小時后在整個畫面進行均勻顯示時,通過目視對固定圖案的殘影水平進行以下的四個階段評價?!驔]有殘影○殘影極少,為可容許的水平△有殘影,為不可容許的水平×有殘影,非常惡劣滴痕:液晶顯示裝置的滴痕評價是,通過目視對整面顯示黑色時顯露白色的滴痕進行以下的四個階段評價?!驔]有殘影○殘影極少,為可容許的水平△有殘影,為不可容許的水平×有殘影,非常惡劣工藝適應性:工藝適應性如下評價:在ODF工藝中,使用定容計量泵每一次滴下各50pL液晶,將該操作進行100000次,對以下的“0~100次、101~200次、201~300次、····99901~100000次”的各100次滴下的液晶量的變化進行以下的四個階段評價?!蜃兓瘶O小(能夠穩定地制造液晶顯示元件)○變化極小,為可容許的水平△有變化,為不可容許的水平(由于產生斑,成品率惡化)×有變化,非常惡劣(產生液晶泄漏、真空氣泡)低溫下的溶解性:低溫下的溶解性評價如下進行:調制液晶組合物后,在2mL的樣品瓶中稱量1g液晶組合物,對其在溫度控制式試驗槽中將以下作為一個循環持續施以溫度變化:“-20℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→20℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/每分鐘)→-20℃”,通過目視觀察從液晶組合物的析出物的產生,進行以下的四個階段評價?!?00小時以上未觀察到析出物?!?00小時以上未觀察到析出物?!髟?50小時以內觀察到析出物?!猎?5小時以內觀察到析出物。另外,實施例中對化合物的記載使用以下的簡稱。(側鏈)-n-CnH2n+1碳原子數n的直鏈狀烷基-On-OCnH2n+1碳原子數n的直鏈狀烷氧基-V-C=CH2乙烯基-Vn-C=C-CnH2n+1碳原子數(n+1)的1-烯(環結構)[化29](液晶顯示元件的構成)制作通常用作TV的單元厚3.0μm的FFS模式的液晶顯示元件。該顯示元件的電極間距離:R為像素電極與共用電極之間的絕緣膜的膜厚,為0.5μm,施加電壓:E為15V,E/R的值為30V/μm。液晶組合物的注入使用滴下法進行,進行閃爍、燒屏、滴痕、工藝適應性和低溫下的溶解性的評價。絕緣膜的膜厚測定使用電子顯微鏡進行。(實施例1(液晶組合物1)和比較例1)調制具有以下所示組成的液晶組合物(液晶組合物1),測定其物性值。將該結果示于下表。進一步,向前述液晶顯示元件注入所調制的液晶組合物1,進行各種物性值和顯示特性的評價。同時,調制具有與本發明中規定的液晶組合物不同構成的比較例1的液晶組合物,同樣地制作液晶顯示元件,并進行評價。另外,含量左側的記號是上述化合物的簡稱的記載。[化30]實施例1[化31]比較例1[表1]樣品名實施例1比較例1TNI/℃76.676.2Δn0.1100.108Δε-3.03-2.74η/mPa·s13.612.0γ1/mPa·s9094γ1/Δn27.48.1γ1/Δn2/|Δε|2.452.943-Cy-Cy-V32323-Cy-Cy-V112123-Cy-Cy-Ph-1443-Cy-Ph5-O273-Ph-Ph5-O210103-Cy-Cy-Ph5-O2104-Cy-Cy-Ph5-O222-Cy-Ph-Ph5-O2553-Cy-Ph-Ph5-O2883-Ph-Ph5-Ph-2554-Ph-Ph5-Ph-2553-Cy-2-Ph5-O373-Cy-Cy-2-Ph5-O4104-Cy-Cy-2-Ph5-O22透射率(n-FFS)/%9088對比度(n-FFS)293265響應速度(n-FFS)/ms4.44.8閃爍○×閃爍(低施加電壓)◎△可知:液晶組合物1具有作為TV用液晶組合物實用的76.6℃的TNI,具有大的Δε的絕對值,具有低的η和最適的Δn。使用液晶組合物1制作FFS模式的液晶顯示元件,通過前述方法評價閃爍,結果顯示了非常優異的評價結果。另一方面可知:比較例1的液晶顯示元件在透射率、對比度、響應速度方面為稍差的程度,而在閃爍特性方面,與實施例1的顯示元件相比差。(實施例2(液晶組合物2)和比較例2)調制具有以下所示組成的液晶組合物(液晶組合物2)和比較例1的液晶組合物,同樣地調制FFS模式的液晶顯示元件并測定其物性值。將該結果示于下表。同時,調制具有與本發明中規定的液晶組合物不同構成的比較例2的液晶組合物,同樣地制作液晶顯示元件,并進行評價。[表2]樣品名實施例2比較例2TNI/℃86.589.7Δn0.1100.088Δε-3.90-3.32n/mPa·s22.021.0γ1/mPa·s144162γ1/Δn211.920.9γ1/Δn2/|Δε|3.056.303-Cy-Cy-V16163-Cy-Cy-V110103-Ph-Ph-1553-Cy-Cy-Ph-1663-Cy-Ph5-O2105-Cy-Ph5-O253-Ph-Ph5-O253-Cy-Cy-Ph5-O211113-Cy-Cy-Ph5-O3994-Cy-Cy-Ph5-O211112-Cy-Ph-Ph5-O223-Cy-Ph-Ph5-O243-Ph-Ph5-Ph-263-Cy-2-Ph5-O3104-Cy-2-Ph5-O2103-Cy-Cy-2-Ph5-O464-Cy-Cy-2-Ph5-O26透射率(n-FFS)/%8885對比度(n-FFS)286254響應速度(n-FFS)/ms6.17.8閃爍○×閃爍(低施加電壓)◎×可知:液晶組合物2具有作為TV用液晶組合物實用的液晶相溫度范圍,具有大的介電常數各向異性的絕對值,具有低的粘性和最適的Δn??芍罕容^例2的液晶顯示元件在透射率、對比度、響應速度方面為稍差的程度,而在閃爍特性方面與實施例2的顯示元件相比差。(實施例3至8)調制具有以下所示組成的實施例3至8的液晶組合物,同樣地制作FFS模式的顯示元件并測定其物性值。將該結果示于下表。[表3]樣品名實施例3實施例4實施例5實施例6實施例7實施例8TNI/℃76.186.575.685.776.974.5Δn0.1100.1090.1090.1100.1100.109Δε-3.09-3.84-3.07-3.87-2.99-2.73η/mPa·s12.219.515.223.413.513.4γ1/mPa·s81126981538988γ1/Δn26.710.68.212.67.47.4γ1/Δn2/|Δε|2.172.762.693.272.462.713-Cy-Cy-V3519311732323-Cy-Cy-V11210111012123-Ph-Ph-1553-Cy-Cy-Ph-1292443-Cy-Ph-Ph-263-Cy-Ph5-O2481312775-Cy-Ph5-O23671-Ph-Ph5-O4103-Ph-Ph5-O2108105-Ph-Ph5-O243-Cy-Cy-Ph5-3123-Cy-Cy-Ph5-O23111110103-Cy-Cy-Ph5-O3294-Cy-Cy-Ph5-O291022-Cy-Ph-Ph5-O212754553-Cy-Ph-Ph5-O2129106883-Ph-Ph5-Ph-2134554-Ph-Ph5-Ph-2455透射率(n-FFS)/%908989888990對比度(n-FFS)302295289279288290響應速度(n-FFS)/ms3.75.84.78.04.24.3閃爍○◎○◎○◎閃爍(低施加電壓)◎◎◎◎◎◎可知:實施例3至8的液晶顯示元件也具有作為液晶TV實用的特性,有效地降低了對于FFS模式而言特征性的閃爍。(實施例9至16)調制具有以下所示組成的實施例9至16的液晶組合物,同樣地制作FFS模式的顯示元件并測定其物性值。將該結果示于下表。[表4]樣品名實施例9實施例10實施例11實施例12實施例13實施例14實施例15實施例16TNI/℃75.885.378.185.775.985.576.073.3Δn0.1080.1100.1010.1100.1040.1110.1080.107Δε-3.17-3.94-3.00-3.96-3.06-4.03-3.13-2.80η/mPa·s18.525.515.923.519.927.618.418.2γ1/mPa·s131180111160137188130129γ1/Δn211.214.910.913.212.715.311.111.3γ1/Δn2/|Δε|3.543.783.633.344.143.793.564.023-Cy-Cy-225202520251825253-Cy-Cy-41051038310103-Cy-Cy-5565553-Ph-Ph-15553-Cy-Cy-Ph-12101043-Cy-Ph5-O287581011885-Cy-Ph5-O245991-Ph-Ph5-O493-Ph-Ph5-O29610795-Ph-Ph5-O243-Cy-Cy-Ph5-3143-Cy-Cy-Ph5-O21211681110123-Cy-Cy-Ph5-O310374-Cy-Cy-Ph5-O221191022-Cy-Ph-Ph5-O2951210107993-Cy-Ph-Ph5-O2971212119993-Ph-Ph5-Ph-25353554-Ph-Ph5-Ph-2646466閃爍◎○◎◎◎○◎◎閃爍(低施加電壓)◎◎◎◎◎◎◎◎可知:實施例9至16的液晶顯示元件也具有作為液晶TV實用的特性,有效地降低了對于FFS模式而言特征性的閃爍。進一步判明,這些顯示元件具有較高的可靠性。(實施例9至16)調制具有以下所示組成的實施例17和18的液晶組合物,同樣地制作FFS模式的顯示元件并測定其物性值。將該結果示于下表。[表5]樣品名實施例17實施例18TNI/℃85.885.0Δn0.1030.103Δε-4.02-4.04η/mPa·s20.924.3γ1/mPa·s123152γ1/Δn211.614.3γ1/Δn2/|Δε|2.883.553-Cy-Cy-2223-Cy-Cy-433-Cy-Cy-V203-Cy-Cy-V1103-Cy-Cy-Ph-1773-Cy-Ph-Ph-2343-Cy-Ph5-O213135-Cy-Ph5-O212123-Cy-Cy-Ph5-O21094-Cy-Cy-Ph5-O2562-Cy-Ph-Ph5-O210123-Cy-Ph-Ph5-O21012閃爍◎◎閃爍(低施加電壓)◎◎可知:實施例17和18的液晶顯示元件也具有作為液晶TV實用的特性,有效地降低了對于FFS模式而言特征性的閃爍。符號說明1,8偏光板2第一基板3電極層4取向膜5液晶層6濾色器7第二基板11柵電極12柵極絕緣膜13半導體層14絕緣層15歐姆接觸層16漏電極17源電極18絕緣保護層21像素電極22共用電極23儲能電容器25數據總線27源極總線29共用線當前第1頁1 2 3 
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